◆いろいろやってみましたがこの方法が最も簡単でいい特性が得られました。 C-MOSインバータICの出力バッファを3パラにしてQ1のUHC MOS-FETをドライブしています。 ◆電球用に使用したい場合は周波数を100Hzくらいに低速にした方がFETの負担が少なくなります。 また電球負荷の場合はサージ対策が必要です。（出力部にパルス10A以上のショットキーダイオードを逆向きに入れる。） 【変更・追加部品】 Q1：2SJ438→2SJ334＋放熱器（30P30) D1+D2：10A以上で低リーク・低Vfのもの（単体2個か2素子カソード共有タイプ） R3＝300Ω、C2＝1000〜4700μF、C4＝0.1μFなど、その他LY-010Bと同じ。 ※電流が5〜6A程度の場合は放熱器は16P16などの小型のものでいいと思います。 【注意！】 ◆C2とC4のコンデンサはなるべくQ1の近くに配線してください。 ◆緑の実線は1つの部品でできていることを表しています。 ◆黄の破線は放熱器が必要であることを表しています。（MOS-FETとショットキーDi） ◆黄色の実線部分は電流に見合った太い線を使用してなるべく短く配線して下さい。（φ1mm以上スズメッキ線）外部への配線も太く短くしてください。（10A＝1.25SQ以上）

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